高 质 量 光 电 开 关 应 用
一、介绍
随着科技进步,各种电子产品的自动化程度也跟着提高,自动化程度越高的产品,代表也包含了更多的感测组件。为了避免人眼被环境中各种产品或设备感测时发射的光干扰,所以使用人眼无法察觉的红外线(Infrared; IR)产品做为传感器。
这份应用手册将会介绍如何利用红外线发射组件(InfraredEmitter)及红外线接收组件(Infrared Receiver)作物体侦测应用。
最常见的红外线发射及接收组件就是红外线发光二极管(IR Light-emitting diode; IR LED)及光三极管(Photo Transistor; PT),图一为基本的 IR LED 搭配 PT 的应用电路。
图一
原理说明:
IR LED 为发射端,顺向电流(Forward current; IF)越大发射的辐射强度越大。
PT 为接收端,收到的辐照度越大,产生的光电流 IC(on)越大。
调整 Rlimit 值可控制 IF 的大小。
调整 RL 值可控制 Vout 的大小。
Vout 可接 MCU 的 ADC(Analog-to-Digital Converter)或 GPIO 做准位判断。
判断说明:
无辐照度时,PT 截止,Vout 输出为高电平(Vcc)
辐照度低时,PT 导通,Vout 输出为高电平(Vcc – (Ic x RL))
辐照度高时,PT 饱和,Vout 输出为低电平(VCE(sat))
注:VCE(sat)为 PT 饱和电压。
二、利用反射式 ITR 做物体侦测方法:
IR LED 通常和 PT 一起搭配作为物体侦测或是遮断侦测应用。图二为利用 IR LED 发射 IR 经由物体反射到 PT 做反射式物体侦测的示意图。
为了避免 IR LED 发射的 IR 不经过物体反射,直接在机构内照射到 PT 造成误判,所以 IR LED 跟 PT 必须有效隔离。利用底下的两项特性,即可做到反射物的距离侦测。
反射物距离越近,PT 收到的反射辐照度越强,输出的电流会越高。
不同的材料会有不同的反射率,一般颜色越深、表面越粗糙的物体反射率越低,同距离情况下,接收端输出的电流相对会降低。
图二
图三
若使用直流(Direct current; DC)的侦测方式,在 ITR 被环境光照射时容易造成误判。
原因是 PT端无法分辨接收到的辐照度是来自于环境光,还是 IR 经物体反射。
改善方式如图四,把 IR 的发射方式从DC改为脉冲(Pulse),然后PT需分别侦测每次IR Off及IR On时的电压值Vout(Off)及Vout(On),此时 Vout(Off)就代表环境光造成的偏移值(Offset),Vout(On)代表的则是环境光加上 IR 发射时的电压值,故 Vout(On)和 Vout(Off)之间的电压差就是单纯 IR 发射时造成的电压值。
此方式除了可以降低环境光的干扰,也因为 IR 的发射是利用 Pulse 短时间点亮,故可以利用更强的电流驱动来侦测更远的距离。
图四
图五为 PT 实际输出波形的例子,可发现在 IR 从 On 切换到 Off 时,PT 会有一段延迟时间,故在取样 Vout(Off)时,需确认 PT 输出电压已经稳定,避免后续计算物体侦测变异量时造成误判。
图五
三、结论
调整 IF 或 RL 可以调整物体侦测距离,若想增加侦测距离且无功耗考虑,建议以增加 IF 优先,因加大 RL 同时也会增加光干扰的强度;若是要降低侦测距离则以降低 RL 电阻值优先,同时降低环境光干扰。
四、型号推荐
直插型:ITR20001/T24、ITR-9908、ITR8307
贴片型:ITR8307/S18/TR8、ITR8307/L24/TR8、ITR1502SR40A
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