(1)化合物半导体晶体的禁带宽度要能够用来获得所希望的发光波长。

　　(2)发光材料能容易制成pn二极管，各个结层的晶格常数α要匹配。做成所谓DH层(Double Hetero Layer)，但两侧晶格常数α必须一致。

　　(3)以禁带宽度的材料夹着活性层发光区域的两侧，活性层的带隙比覆面层的带隙小，活性层的折射率比覆面层的折射率大，所发光很容易由内部出射。

　　(4)能有稳定的物理及化学结构。结晶的离子性高，禁带带宽E也较大，熔点也较高，所成的化合物半导体晶体材料能在较高温度环境下工作，如GaP、AlP、GaN等化合物的半导体。

　　(5)有直接迁移带或间接迁移带的晶体。发光区域多为直接迁移带隙材料，其有较高的发光效率。电子(空穴)的移动度也比间接迁移带隙材料要高。

　　能满足上述LED条件的材料有Ⅲ一V族元素，如镓和砷的GaAs化合物，镓和磷的GaP化合物，镓、砷和磷的镓砷磷化合物GaAsP，铝镓砷ALGaP的化合物，镓和氮的GaN化合物。

　　一般在周期表中位于同一周期的元素，其价电子数由左至右逐一增加，例如以第Ⅳ族的锗为中心，其左边的镓少一个价电子，而右边的砷多一个价电子。因此，Ⅲ一V族的结合(即GaAs)在化学上和第IV族的Ge和Si一样具有同样的性质。这种化合物称为III-V族化合物，