光电耦合器的技术参数可分为输入特性、输出特性、、隔离特性、传输特性等几大部分。

一、输入特性

光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：

1. 正向工作电压Vf（Forward Voltage）

Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

2. 反向电压Vr（Reverse Voltage ）

是指LED所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。

3. 反向电流Ir（Reverse Current）

通常指在最大反向电压情况下，流过LED的反向电流。

4. 允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）

LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。

5. 中心波长λp（Peak Wave Length）

是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。

6. 正向工作电流If（Forward Current）

If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。

7. 正向脉冲工作电流Ifp（Peak Forward Current）

Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

二、输出特性

光耦合器的输入特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：

1. 集电极电流Ic（Collector Current）

光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

2. 集电极-发射极电压Vceo（C-E Voltage）

集电极-发射极所能承受的电压。

3. 发射极-集电极电压Veco（E-C Voltage）

发射极-集电极所能承受的电压

4. 反向截止电流Iceo

发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

5. C-E饱和电压Vcd(sat)（C-E Saturation Voltage）

发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

四、传输特性：

1．电流传输比光电耦合器CTR（Current Transfer Radio）

输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

2．上升时间Tr （Rise Time）& 下降时间Tf（Fall Time）

光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。

三、隔离特性

1．入出间隔离电压Vio（Isolation Voltage）

光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

2．入出间隔离电容Cio（Isolation Capacitance）：

光耦合器件输入端和输出端之间的电容值

3．入出间隔离电阻Rio：（Isolation Resistance）

半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。